| 특허명 | 유기물 및 나노미세기공을 함유하는 PZT계 압전 후막 및 이의 제조방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2007-0059845 |
| 출원일 | 2007-06-19 |
| 등록번호 | 0890006 |
| 등록일 | 2009-03-16 |
| 대표발명자 | 미래기술연구센터 한병동 |
| 초록 | 본 발명은 Pb(Zr x Ti 1-x )O 3 를 포함하는 유기물을 함유하고, 나노 미세기공을 갖는 PZT계 압전 후막 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 PZT계 압전 후막은 종래의 후막보다 막 증착시간이 짧고, 빠른 열처리 승온 속도 및 냉각 속도로 제조할 수 있으며, 증착 가능한 막의 두께가 두꺼워 뛰어난 전기적 특성과 안정성을 갖고 있다. 그러므로, 본 발명에 따른 PZT계 압전 후막은 고감도, 고출력, 안정성 및 빠른 응답속도를 지니는 센서 및 액츄에이터에 유용하게 사용할 수 있다. PZT계 후막, 에어로졸 증착법, 유기물, 열분해, 열처리, 잔류응력, 나노 미세기공 |
| 발명명칭 | 유기물 및 나노 미세기공을 함유하는 PZT계 압전 후막및 이의 제조 방법 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
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| 첨부파일 |
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