보유특허

특허명 상온 전도성 막을 포함하는 고성능 압전 후막 및 이의 제조방법
출원등록국 한국
출원번호 2008-0047473
출원일 2008-05-22
등록번호 0975283
등록일 2010-08-05
대표발명자 기능세라믹연구그룹 최종진
초록 본 발명은 상온 전도성 막을 포함하는 고성능 압전 후막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 에어로졸 증착법을 이용하여 치밀한 구조를 갖는 상온 전도성 막을 금속기판과 PZT계 압전 후막사이에 형성시킨 압전 후막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 에어로졸 증착법을 이용하여 형성된 치밀한 구조의 전도성 산화물 후막을 기판 위에 증착시키고, 이 위에 PZT계 압전 후막을 증착한 후 열처리함으로써, 열처리 과정에서의 금속 기판의 산화를 방지할 뿐만아니라 금속 기판과 PZT계 압전 후막의 반응을 억제하여 뛰어난 전기적 특성을 갖는 압전 및 강유전 후막의 제조가 가능하다. 따라서 본 발명에 따른 압전 후막 및 이의 제조 방법은 금속 기판을 이용한 엑츄에이터, 센서 등의 압전 재료로 유용하게 사용될 수 있다. 에어로졸 증착법, 금속 기판, 압전 후막, 상온 전도성 산화물, 반응 억제
발명명칭 상온 전도성 막을 포함하는 고성능 압전 후막 및 이의제조방법
출원인 한국기계연구원
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첨부파일 키프리스 검색