| 초록 |
본 발명은 MgB 2 초전도 막 형성 및 이를 이용한 선재 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 기존의 PIT법이나 CTFF법에 내부 core로 사용되는 초전도 분말 대신에 초전도 막을 도입함으로써 피복재내에 있는 MgB 2 초전도 물질의 고밀도화를 실현할 수 있고 이를 통하여 초전도 임계전류 및 전류밀도를 획기적으로 향상시킬 수 있다. 또한 이를 통하여 전자기적 특성을 향상시킬 수 있어 실질적인 초전도 전력기기 및 응용기기에 사용될 수 있는 경쟁력을 가진 MgB 2 초전도 선재를 제조하는 방법을 제공하는데 있다. 이를 위해 본 발명에 따른 MgB 2 초전도 막 형성 및 이를 이용한 선재 제조 방법은 테이프형태의 금속 피복재(1) 위에 초전도막(2)을 형성하는 제 1단계(S100); 상기 제 1단계(S100)에서 제조된 상기 초전도막(2)이 코팅된 테이프 형태의 금속 피복재(1)를 O자형으로 성형하는 제 2단계(S200); 상기 제 2단계(S200)에서 O자형으로 성형된 후 이음부가 용접된 O자형의 상기 초전도막(2)이 코팅된 테이프 형태의 금속 피복재(1)를 압연 또는 인발하는 제 3단계(S300)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 초전도 선재의 제조방법를 개시한다. 또한, 본 발명에 따른 MgB 2 초전도 막 형성 및 이를 이용한 선재 제조 방법의...(이하생략) |
