보유특허

특허명 플라즈마 전해산화를 이용한 마그네슘재 표면처리 방법, 이에 의해 형성된 마그네슘 양극산화피막 및 플라즈마 전해산화에 사용되는 마그네슘재 표면처리액
출원등록국 한국
출원번호 2012-0143810
출원일 2012-12-11
등록번호 1476235
등록일 2014-12-18
대표발명자 전기화학연구실 문성모
초록 본 발명은 플라즈마 전해산화를 이용한 마그네슘재 표면처리 방법, 이에 의해 형성된 마그네슘 양극산화피막 및 플라즈마 전해산화에 사용되는 마그네슘재 표면처리액에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 마그네슘재 표면처리액 중에 마그네슘재를 침지시키는 단계; 및 펄스 전류를 인가하여 상기 마그네슘재를 플라즈마 전해산화시켜 상기 마그네슘재 표면에 마그네슘 양극산화피막을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전해산화를 이용한 마그네슘재 표면처리 방법, 이에 의해 형성된 마그네슘 양극산화피막 및 플라즈마 전해산화에 사용되는 마그네슘재 표면처리액에 대한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 전해산화를 이용한 마그네슘재 표면처리 방법에 의하면, 플라즈마 전해산화 처리에 사용되는 전해액의 종류에 따른 제약 없이 마그네슘재 표면에 균일하고 치밀하며, 월등한 내부식성을 가지는 마그네슘 양극산화피막을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 플라즈마 전해산화를 이용한 마그네슘재 표면처리 방법에 의하면, 플라즈마 전해산화 처리에 사용되는 전해액에 산화물 분말을 포함할 경우 피막 내부에 석출된 산화물 입자의 존재로 인하여 우수한 전기 저항도 및 현저히 뛰어난 경도를 가지는 마그네슘 양극산화피막을 형성할 수 있다.
발명명칭 플라즈마 전해산화를 이용한 마그네슘재 표면처리 방법, 이에 의해 형성된 마그네슘 양극산화피막 및 플라즈마 전해산화에 사용되는 마그네슘재 표면처리액
출원인 한국기계연구원
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첨부파일 키프리스 검색