| 특허명 | 열전 반도체의 제조방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2013-0073704 |
| 출원일 | 2013-06-26 |
| 등록번호 | 1472436 |
| 등록일 | 2014-12-08 |
| 대표발명자 | 전기화학연구실 임재홍 |
| 초록 | 본 발명은 N형 열전 반도체 소자를 포함하는 열전 반도체의 제조방법에 있어서, 상기 N형 열전 반도체 소자는 전기화학적 방법에 의해 전착되고, 상기 전기화학적 방법은, 기판을 작업전극으로 하여, 상기 N형 열전 반도체 소자를 형성하기 위한 이온을 포함하는 액체 전해질에 상기 기판을 담지하는 단계를 포함하며, 상기 액체 전해질의 조성은 XmM Bi 2 O 3 /YmM TeO 2 (7.5≤X, Y≤15) 및 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체의 제조방법에 관한 것으로, 열전 반도체 소자를 전기화학적 방법에 의해 전착함으로써, 고온 및 고압에 의한 열전 반도체 소자의 손상을 방지할 수 있으며, 액체 전해질의 조성으로 계면활성제를 더 포함함으로써, 열전 반도체의 성능 지수를 향상시킬 수 있다. |
| 발명명칭 | 열전 반도체의 제조방법 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
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| 첨부파일 |
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