| 특허명 | 열전 반도체 모듈 및 이의 제조방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2013-0135606 |
| 출원일 | 2013-11-08 |
| 등록번호 | 1439461 |
| 등록일 | 2014-09-02 |
| 대표발명자 | 전기화학연구실 임재홍 |
| 초록 | 본 발명은 열전 반도체 소자; 상기 열전 반도체 소자와 연결되는 금속전극; 상기 열전 반도체 소자와 상기 금속전극의 사이에 위치하는 접착층; 및 상기 접착층과 상기 열전 반도체 소자의 사이에 위치하는 확산 방지층을 포함하고, 상기 확산 방지층은 전기화학적 방법에 의해 전착되는 것을 특징으로 하는 열전 반도체 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 확산 방지층을 통해, 접착층의 성분이 열전 반도체 소자의 결정 격자의 내부로 확산되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 확산 방지층을 전해 도금법에 의해 형성함으로써, 상기 확산 방지층과 상기 열전 반도체 소자 패턴의 경계면에 양호한 호환성을 가질 수 있도록 함으로써, 상기 열전 반도체 소자 패턴의 접착 특성을 향상시킬 수 있다. |
| 발명명칭 | 열전 반도체 모듈 및 이의 제조방법 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
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| 첨부파일 |
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