| 특허명 | 고열전도율을 갖는 반응소결질화규소의 제조 방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2014-0050614 |
| 출원일 | 2014-04-28 |
| 등록번호 | 1639576 |
| 등록일 | 2016-07-08 |
| 대표발명자 | 엔지니어링세라믹연구실 박영조 |
| 초록 | 전력 디바이스 등의 방열 구조에 사용하기 적합한 고열전도율을 갖는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법이 제공된다. 본 발명은 Si 분말을 포함하는 원료 분말을 1 미크론 이하의 크기로 밀링하는 단계; 상기 밀링된 Si 분말 및 소결 조제를 혼합 및 성형하는 단계; 상기 성형체를 1350~1450 o C에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및 상기 반응결합 질화규소를 1850 o C 이상의 온도에서 후소결하여반응소결질화규소소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 높은 열전도율의 반응소결질화규소소결체를 제공할 수 있게 된다. |
| 발명명칭 | 고열전도율을 갖는 반응소결질화규소의 제조 방법 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
| 도면 | 다운로드 |
| 첨부파일 |
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