특허명 | 아킹 제어된 이온빔 소스 |
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출원등록국 | 한국 |
출원번호 | 2016-0069479 |
출원일 | 2016-06-03 |
등록번호 | 1850757 |
등록일 | 2018-04-16 |
대표발명자 | 플라즈마공정연구실 이승훈 |
초록 | 본 발명은 제1음극; 상기 제1음극을 둘러싸며, 상기 제1음극과 사이에 이온빔 인출부를 형성하는 제2음극; 상기 이온빔 인출부 하부에서 제1음극 및 제2음극 사이에 이격되도록 배치된 양극을 포함하며, 상기 양극이 자성체로 이루어진 아킹이 제어된 이온빔 소스에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 제1음극; 상기 제1음극을 둘러싸며, 상기 제1음극과 사이에 이온빔 인출부를 형성하는 제2음극; 상기 이온빔 인출부 하부에서 제1음극 및 제2음극 사이에 이격되도록 배치된 양극을 포함하며, 상기 제1음극 및 제2음극의 내부에 자성체가 구비되는 아킹이 제어된 이온빔 소스에 관한 것이다. 상기 본 발명에 따른 아킹이 제어된 선형 이온빔 소스는 이온빔 소스 내에서 플라즈마 분포를 제어하여 상기 플라즈마에 의한 절연체 표면 축전을 저감함으로써, 아크방전, 절연체의 손상 및 불순물 발생을 감소시키는 기능이 구현되어 방전 안정성 및 수명을 증가시킬 수 있다. |
발명명칭 | 아킹 제어된 이온빔 소스 |
출원인 | 한국기계연구원 |
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