| 특허명 | 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2017-0024868 |
| 출원일 | 2017-02-24 |
| 등록번호 | 2052592 |
| 등록일 | 2019-11-29 |
| 대표발명자 | 엔지니어링세라믹연구실 김진명 |
| 초록 | 본 발명은 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Si의 완전 질화를 기준으로 xSi 3 N 4 -yA 2 O 3 -zB 2 O 3 (여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z 003e# 0, A 및 B는 Y, Sc, Nd 및 Yb로 이루어진 그룹 중에서 선택된 희토류 금속)의 조성식을 따르도록 Si, A 2 O 3 , 및 B 2 O 3 원료 분말을 배합하는 단계(S10)와, 상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20)와, 상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30)와, 상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40), 및 상기 질화된 성형체를 소결하는 단계(S50)를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법을 제공함으로써, 소결체 내의 산소량을 저감시켜 고열전도도 발현에 유리하도록 하며, 소결 조건을 제어함으로써 열적, 기계적 특성이 우수한 질화규소 소결체를 제공한다. |
| 발명명칭 | 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
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| 첨부파일 |
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