| 특허명 | SiC 지지층용 조성물 및 이를 이용한 Al2O3 코팅층을 포함하는 SiC 분리막 및 그 제조 방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2016-0171644 |
| 출원일 | 2016-12-15 |
| 등록번호 | 1811199 |
| 등록일 | 2017-12-15 |
| 대표발명자 | 엔지니어링세라믹연구실 송인혁 |
| 초록 | 본 발명에서는 SiC 파우더, 융점이 낮은 글래스 프릿(glass frit) 10~25중량%을 포함하는 SiC 지지층용 조성물로부터 굴곡 강도가 우수한 SiC 지지층을 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 SiC 지지층용 조성물은 SiC 파우더; 상기 SiC 파우더 사이에 결합되는 글래스 프릿(glass frit); 및 유기 바인더;를 포함하고, 상기 SiC 지지층용 조성물 100중량%에 대하여, 글래스 프릿 15~25중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
| 발명명칭 | SiC 지지층용 조성물 및 이를 이용한 Al2O3 코팅층을 포함하는 SiC 분리막 및 그 제조 방법 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
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| 첨부파일 |
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