| 특허명 | 복합실리콘산화막 형성방법, 이를 이용한 복합실리콘산화막 및 이를 이용한 투습방지부재 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2017-0098628 |
| 출원일 | 2017-08-03 |
| 등록번호 | 1977885 |
| 등록일 | 2019-05-07 |
| 대표발명자 | 소자기능박막연구실 권정대 |
| 초록 | 본 발명은 실리콘을 포함하는 전구체 가스 및 산소를 함유하는 분위기에서 플라즈마 처리를 수행하여 기판의 적어도 일부 상에 상기 SiO 2 및 SiO를 포함하는 상기 복합실리콘산화막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 복합실리콘산화막의 Si2p XPS 분석 결과, SiO 2 피크(peak) 면적 대비 SiO 피크(peak) 면적의 비(SiO 2 피크 면적/SiO 피크 면적)가 1.85 보다 크고 2.55 보다 작은 값을 갖는 복합실리콘산화막 형성방법, 이를 이용한 복합실리콘산화막 및 이를 이용한 투습방지부재를 제공한다. |
| 발명명칭 | 복합실리콘산화막 형성방법, 이를 이용한 복합실리콘산화막 및 이를 이용한 투습방지부재 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
| 도면 | 다운로드 |
| 첨부파일 |
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