| 특허명 | 전이금속 황화물 제조 방법, 적외선 광전소자 및 적외선 센서 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2019-0149133 |
| 출원일 | 2019-11-19 |
| 등록번호 | 2667130 |
| 등록일 | 2024-05-14 |
| 대표발명자 | 에너지융합소재연구센터 김용훈 |
| 초록 | 본 발명은 전이금속 황화물 제조 방법, 적외선 광전소자 및 적외선 센서에 관한 것이다. 본 발명의 전이금속 황화물 제조 방법은 기판 상에 전이금속 산화물 박막을 형성하고, 저온에서 황화수소를 포함하는 혼합기체로 상압 플라즈마 처리하여 전이금속 산화물 박막을 황화하여 전이금속 황화물 박막을 형성한다. 본 발명의 적외선 광전소자는 기판, 기판 상에 전이금속 황화물 박막 및 금속 전극을 포함하고, 상기 기판은 Si 또는 SiO 2 를 포함한다. 본 발명의 적외선 센서는 본 발명의 적외선 광전소자를 포함한다. |
| 발명명칭 | 전이금속 황화물 제조 방법, 적외선 광전소자 및 적외선 센서 |
| 출원인 | 한국재료연구원 |
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| 첨부파일 |
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