| 특허명 | 산화동 나노분말의 제조 방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2009-0032384 |
| 출원일 | 2009-04-14 |
| 등록번호 | 1110231 |
| 등록일 | 2012-01-19 |
| 대표발명자 | 분말기술연구그룹 김용진 |
| 초록 | 본 발명은 산화동 나노 분말의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따르면, PCB 도금폐액이 수산화나트륨 수용액 내에 주입되는 중화단계와; 상기 중화단계에서 형성되는 슬러리를 열처리하여, 산화동 분말과 염화나트륨 분말로 구성되는 중간생성물을 수득하는 열처리단계와; 상기 중간생성물을 세척하여, 상기 염화나트륨 분말을 제거하며 산화동 분말을 추출하는 세척단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면 염소함량이 10ppm 이하인 나노크기의 고순도 산화동 분말을 제조가능하게 된다. PCB폐액, 산화동, 무응집, 나노분말, 화염법, 기상법 |
| 발명명칭 | 산화동 나노 분말의 제조 방법 |
| 출원인 | 한국기계연구원|주식회사 대창 |
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| 첨부파일 |
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