| 특허명 | 열전 반도체 모듈 및 이의 제조방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2012-0030649 |
| 출원일 | 2012-03-26 |
| 등록번호 | 1386682 |
| 등록일 | 2014-04-11 |
| 대표발명자 | 전기화학연구실 임재홍 |
| 초록 | 본 발명은 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상부에 위치하는 열전 반도체 소자; 상기 열전 반도체 소자의 일단에 연결되는 제1접촉 전극부; 및 상기 열전 반도체 소자의 타단에 연결되는 제2접촉 전극부를 포함하고, 상기 제1접촉 전극부 및 상기 제2접촉 전극부는 상기 베이스 기판 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 열전 반도체 모듈을 구성하는 열전 반도체 소자를 형성함에 있어서, 열전 반도체 소자 패턴을 도너기판에 형성하고, 상기 도너기판 상의 열전 반도체 소자 패턴을 전사방식에 의해 베이스 기판으로 전사함으로써, 일반적으로 진행되는 고온, 고압 또는 진공 공정에 비해 온화한 조건 유지가 가능하다. |
| 발명명칭 | 열전 반도체 모듈 및 이의 제조방법 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
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| 첨부파일 |
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