| 특허명 | 고분자-취성재료 층상 구조 및 이의 제조 방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2012-0047207 |
| 출원일 | 2012-05-04 |
| 등록번호 | 1307888 |
| 등록일 | 2013-09-06 |
| 대표발명자 | 기능세라믹연구실 류정호 |
| 초록 | 본 발명은 상온 분사공정을 이용하여 고분자 기지상에 취성 재료 후막을 성막하는 기술이다. 일반적으로 상온 분사공정을 이용하여 고분자 기지상에 취성 재료 후막을 성막하기 위해서는 모재와의 강한 앵커링을 위해서 판상형 입자를 사용하는 등의 방법을 이용하여 성막을 하는 등의 방법이 있으나 결합력이 충분하지 않고, 강한 충돌로 인하여 성막된 취성 재료막은 나노미터 크기의 결정립으로 이루어지는 문제점이 있었으나, 본 발명에서는 접착성을 가지는 고분자 기지상에 상온 분사공정으로 취성 재료 후막을 성막하는 기술을 제공하며, 성막된 취성 재료막의 결정립 크기는 수백 나노미터-수 마이크로미터의 초기 원료 분말과 유사한 크기를 가지고, 본 발명을 이용하여 압전 세라믹 후막을 고분자 기지상에 성막하면 유연성 압전 소자 (예: 유연성 압전 에너지 하베스터, 센서)의 응용이 가능하다. |
| 발명명칭 | 고분자-취성재료 층상 구조 및 이의 제조 방법 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
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| 첨부파일 |
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