| 특허명 | 미세배선 형성 방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2015-0148850 |
| 출원일 | 2015-10-26 |
| 등록번호 | 2423275 |
| 등록일 | 2022-07-15 |
| 대표발명자 | 공정실용화센터 나종주 |
| 초록 | 본 발명은 유연 기판 상에 낮은 배선폭과 피치 간격을 가지면서도 낮은 저항값 및 유연유연 기판과의 높은 밀착성을 가지는 금속배선을 형성하기 위하여, 유연 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계; 리프트 오프(lift-off) 공정으로 상기 희생층을 제거하고 상기 씨앗층 중에서 상기 오목부에 형성된 부분을 제외한 나머지를 제거하는 단계; 및 상기 오목부에 존재하는 씨앗층 상에 도금 공정으로 도금 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 미세배선 형성 방법을 제공한다. |
| 발명명칭 | 미세배선 형성 방법 |
| 출원인 | 한국재료연구원 |
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| 첨부파일 |
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