| 특허명 | 듀얼 게이트 구조로 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터 타입의 복합센서장치 및 그 제조방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2015-0184905 |
| 출원일 | 2015-12-23 |
| 등록번호 | 10-2480656 |
| 등록일 | 2022-12-20 |
| 대표발명자 | |
| 초록 | 본 발명은 듀얼 게이트(Dual-Gate) 구조로 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터(OFET) 타입의 복합센서장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명의 일실시예에 따르면, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터 타입의 복합센서장치는, 서로 이격하여 평형하게 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 이루어지는 소스드레인 전극층, 상기 소스드레인 전극층 상단에 배치된 제 1 게이트 전극층, 상기 소스드레인 전극층 하단에 배치된 제 2 게이트 전극층, 상기 소스드레인 전극층과 상기 제 1 게이트 전극층 사이에 위치하되 자외선감지를 수행하는 제 1 유전층, 상기 소스드레인 전극층과 상기 제 2 게이트 전극층 사이에 위치하되 가스감지를 수행하는 채널층을 포함하여 이루어질 수 있다. |
| 발명명칭 | 듀얼 게이트 구조로 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터 타입의 복합센서장치 및 그 제조방법 |
| 출원인 | 한국재료연구원 |
| 도면 | 다운로드 |
| 첨부파일 |
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