| 특허명 | 질화물 후막 및 그 제조 방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2017-0148456 |
| 출원일 | 2017-11-09 |
| 등록번호 | 2121736 |
| 등록일 | 2020-06-05 |
| 대표발명자 | 기능세라믹연구실 한병동 |
| 초록 | 치밀하고 두께가 두꺼운 고열전도성의 질화물 후막 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화물 후막은 제조 방법은 (a) 질화물 분말로부터 질화물 그래뉼(granule)을 형성하는 단계; (b) 상기 질화물 그래뉼을 600~950℃에서 어닐링하는 단계; 및 (c) 상기 어닐링된 질화물 그래뉼을 기판 상에 분사하여 질화물 후막을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
| 발명명칭 | 질화물 후막 및 그 제조 방법 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
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| 첨부파일 |
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