| 특허명 | SiO2 및 TiO2로 표면 개질된 세라믹 분리막 및 그 제조 방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2018-0129521 |
| 출원일 | 2018-10-29 |
| 등록번호 | 2076733 |
| 등록일 | 2020-02-06 |
| 대표발명자 | 엔지니어링세라믹연구실 이종만 |
| 초록 | 본 발명에서는 다공성 세라믹 분리층에 존재하는 코팅 물질 SiO 2 및 TiO 2 의 몰비를 조절함으로써, SiO 2 의 내오염성과 TiO 2 의 광분해 활성을 동시에 향상시키는 세라믹 분리막에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 SiO 2 및 TiO 2 로 표면 개질된 세라믹 분리막은 다공성 세라믹 지지층; 및 상기 다공성 세라믹 지지층 상에 위치하는 다공성 세라믹 분리층;을 포함하고, 상기 다공성 세라믹 분리층은 세라믹 입자 및 상기 세라믹 입자 표면을 코팅하는 코팅막을 포함하며, 상기 코팅막은 SiO 2 및 TiO 2 을 포함하고, 상기 코팅막은 SiO 2 및 TiO 2 의 전체 100mol% 대하여, TiO 2 10~60mol%를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
| 발명명칭 | SiO2 및 TiO2로 표면 개질된 세라믹 분리막의 제조 방법 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
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| 첨부파일 |
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