| 특허명 | 산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2018-0099028 |
| 출원일 | 2018-08-24 |
| 등록번호 | 1918916 |
| 등록일 | 2018-11-09 |
| 대표발명자 | 분말/세라믹연구본부 송인혁 |
| 초록 | 산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 다공성 세라믹 지지층 상에 SiC를 이용하여 코팅층을 형성시킨 후 산화 분위기에서 소결하여 SiC 입자 표면에 SiO 2 산화막을 형성시킨다. 이러한 SiO 2 산화막의 낮은 결합 온도를 활용하여 수처리용 세라믹 분리막을 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막은 다공성 세라믹 지지층; 및 상기 다공성 세라믹 지지층 상에 형성된 SiC층;을 포함하고, 상기 SiC층은 표면에 SiO 2 산화막이 형성된 SiC 입자를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
| 발명명칭 | 산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막 |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
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| 첨부파일 |
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