| 특허명 | 수소화된 P-I-N층을 포함하는 반투명 비정질 실리콘 박막 태양전지 및 이의 제조방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2019-0009353 |
| 출원일 | 2019-01-24 |
| 등록번호 | 2241098 |
| 등록일 | 2021-04-12 |
| 대표발명자 | 에너지융합소재연구센터 권정대 |
| 초록 | 본 발명의 일 관점에 따르면, 투명기판, 광전변환층, 상기 투명기판과 광전변환층 사이에 형성되는 제1투명전극층 및 상기 광전변환층 상부에 형성되는 제2투명전극층을 포함하는 반투명 비정질 실리콘 박막 태양전지 및 이의 제조방법이 제공된다. |
| 발명명칭 | 수소화된 P-I-N층을 포함하는 반투명 비정질 실리콘 박막 태양전지 및 이의 제조방법 |
| 출원인 | 한국재료연구원 |
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| 첨부파일 |
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