| 특허명 | 3단자 저항변화소자 기반 발화형 뉴런회로 및 이의 동작 방법 |
|---|---|
| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2020-0051222 |
| 출원일 | 2020-04-28 |
| 등록번호 | 2415183 |
| 등록일 | 2022-06-27 |
| 대표발명자 | 황현 |
| 초록 | 축전기를 포함하지 않고 뉴런회로를 구성할 수 있는 3단자 저항변화소자 기반 발화형 뉴런회로 및 이의 동작 방법이 개시된다. 이는 종래의 큰 면적을 차지하는 축전지를 포함하지 않고 축전기 대신 입력 신호에 따라 전도도가 변하는 3단자로 형성된 저항변화소자를 사용하여 소자의 전도도가 축전기의 전압에 해당하는 멤브레인 전위에 대응되도록 함으로써 축적 과정을 모사할 수 있다. 또한, 일반적으로 3단자 저항 변화 소자는 시간이 지남에 따라 전도도가 원래 상태로 돌아오는 특성을 갖고 있기 때문에, 멤브레인 전위가 시간에 따라 감소하는 누수 특성 또한 모사 할 수 있다. 따라서, 이를 통해 고집적 뉴런회로 설계가 가능하다. |
| 발명명칭 | 3단자 저항변화소자 기반 발화형 뉴런회로 및 이의 동작 방법 |
| 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단|한국재료연구원 |
| 도면 | 다운로드 |
| 첨부파일 |
|
