| 특허명 | 역치 적응형 3단자 저항변화소자 기반 발화형 뉴런 회로 및 이의 동작 방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2020-0141707 |
| 출원일 | 2020-10-29 |
| 등록번호 | 10-2565662 |
| 등록일 | 2023-08-07 |
| 대표발명자 | 포스텍 황현상 |
| 초록 | 본원은 역치 적응형 3단자 저항 변화 소자 기반 발화형 뉴런 및 발화형 뉴런 회로에 관한 것으로, 본원의 일 실시예에 따른 역치 적응형 3단자 저항 변화 소자 기반 발화형 뉴런 회로는 3단자 저항 변화 소자를 포함하고, 역치 조절 신호 및 입력 신호가 입력되며, 상기 역치 조절 신호에 의하여 역치가 결정되고, 상기 입력 신호에 따라 멤브레인 전위가 변하고, 상기 역치 및 상기 멤브레인 전위에 따라 출력 신호를 출력하는 발화형 뉴런, 상기 출력 신호에 기초하여 출력 스파이크를 생성하는 출력 스파이크 생성기(Output Sipke Generator), 상기 출력 신호에 기초하여 상기 발화형 뉴런의 상기 멤브레인 전위를 초기상태로 설정하는 초기화-휴지기 컨트롤러(reset-refractory period controller)를 포함할 수 있다. |
| 발명명칭 | 역치 적응형 3단자 저항 변화 소자 기반 발화형 뉴런 및 발화형 뉴런 회로 |
| 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단|한국재료연구원 |
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