| 특허명 | 저항변화 소자 제조 방법 |
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| 출원등록국 | 한국 |
| 출원번호 | 2021-0119605 |
| 출원일 | 2021-09-08 |
| 등록번호 | 10-2582684 |
| 등록일 | 2023-09-20 |
| 대표발명자 | 에너지전자재료연구실 김용훈 |
| 초록 | 본 발명은 Ta 합금을 포함하는 저항변화층을 구비하는 저항변화소자로서, 상기 저항변화층은 Ta 2 O 5 박막의 적어도 어느 일부에 Ta의 함량이 상대적으로 리치(rich)한 구조를 포함하고, 2차 이온질량 분석법(TOF-SIMS)에 의해 분석된 상기 저항변화층의 네거티브(negative) 스펙트럼 및 파지티브(positive) 스펙트럼에서 각각 변곡점이 나타나며, 상기 네거티브 스펙트럼의 Ta 원소의 피크에 나타나는 변곡점의 저점과 고점 사이의 비율은 160% 내지 190% 이거나, 혹은 Ta 2 O 5 의 피크에 나타나는 변곡점의 저점과 고점 사이의 비율은 128% 내지 212%를 포함할 수 있다. |
| 발명명칭 | 저항변화소자 및 이의 제조방법 |
| 출원인 | 한국재료연구원 |
| 도면 | 다운로드 |
| 첨부파일 |
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